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SanDisk註冊晶片封裝新專利，將NAND堆疊在AI晶片作為晶片與HBM間的大容量緩衝
現在的AI晶片對於記憶體的需求相當高，不過無論是SRAM或DRAM除了產能以外都有單位成本高昂的問題，尤其是高階AI晶片的HBM記憶體仍供不應求的情況下，現在科技產業也在尋求其它解緩HBM容量需求的做法，其中SanDisk繼與SK Hynix推出稱為HBF的新式高頻寬快閃記憶體後，註冊一項新式晶片封裝專利，希冀透過在AI晶片下方封裝NAND，與HBM記憶體各司其職增強AI晶片效能。
將NAND作為擴充AI晶片容量的手段
Excellent read.
— 法克魷吉米 Jimmy | Real TSMC Insight | 純愛を学び中 💜 (@jimmy_yoasobi) June 21, 2026
A simple way for beginners to understand this is to think of an AI processor as working at a desk.
HBM is the small but extremely fast workspace beside the processor.
NAND is much slower, but it can store far more data at a lower cost.
SanDisk’s public HBF… https://t.co/7SmwOGnYDz
如前面所述，NAND相對DRAM雖然性能較慢，但有著更大容量的優勢，SanDisk的專利則透過CBA技術把NAND顆粒堆疊在AI晶片(包括AI加速器或GPU)下方，同時該晶片平台上仍有HBM記憶體，透過兩種晶片分工各司其職提升整體AI性能。
在這項計畫中，傳輸速度更快的HBM可作為存放需要力及處理的資料，而NAND則用於進行讀取及寫入操作還有處理更大的資料集，以3D封裝的DRAM能夠帶來相對採用外部晶片更快、更直接的傳輸，此外透過NAND作為運算晶片集HBM之間提供更大的緩衝，如此一來可降低成本及功耗。
從概念專利轉化為技術仍需時間證明
SanDisk的專利看似美好，不過畢竟仍處於專利階段，還未知SanDsik目前的技術進展，畢竟在高性能的AI晶片下方封裝NAND，意味著除了NAND的散熱以外，NAND也須承受上方高性能AI晶片的發熱，如何實現這樣的封裝、成本的控制等等也都是需要考量的，但SanDisk確實正在設法找尋AI世代的新方向。
