根據韓國媒體The ELEC報導，SK Hynix已經完成生產驗證，預計在2026年底在清州M15晶圓廠量產375層3D NAND；然而375層3D NAND卻是Sk Hynix不得不的結果，因為原本SK Hynix在內部將這項產品歸納在400層級產品，但最終遭遇技術門檻，最終在良率與時間考量下變更為375層。

堆疊層數越高越複雜，新材料勢在必行

根據The ELEC引述產業人士說法，SK Hynix的375層3D NAND是原定的400層計畫產品的最終結果，由於超高層堆疊製程除了複雜性增加，也會面臨包括溝道孔蝕刻等挑戰。

Sk Hynix最終在製程以鉬(Mo)取代原本的部分鎢(W)薄膜，鎢在面臨堆疊層數越多時會由於尺寸縮減導致電阻增加，而鉬相對鎢有更低的電阻，可實現更快的訊號傳輸，提升寫入與消除的速度。另外鎢在沉積前須阻擋襯層輔助，導致每進行一層堆疊就會產生厚度耗損，但鉬則可省卻輔助層進行沉積。

不過畢竟新材料勢必在技術產生挑戰，鉬在室溫將呈現固態，需要能以穩定的加熱使其呈現穩定的流速。

三星已在286層導入鉬材質

The ELEC指出三星以在第9代286層3D NAND開始導入鉬，並自2024年4月投入量產，同時三星也預計在2026年實現超過400層3D NAND的商用，相對Sk Hynix更早實現鉬在3D NAND的導入。

NAND對比DRAM更重視獲利能力

The ELEC引述產業人士說法，NAND產業相對DRAM更重視營利而非出貨量，SK Hynix將隨著新一代高堆疊層數NAND出貨降低低層數產品的產能，藉由提高單位容量降低成本，而非一味的擴增產能，產業人士爆料指出SK Hynix將透過把既有的清州產線進行改造而非建設新廠就是很好的佐證。

受到AI產業需要更大容量的儲存影響，大型企業正從市場搜刮NAND作為企業級SSD使用，甚至直接與包括SK Hynix、三星與美光直接簽約獲取穩定供貨，但也因此連帶影響到消費級市場；根據Tom's Hardware採訪慧榮Silicon Motion副總裁Nelson Duann段喜亭，他指稱消費級SSD的零售市場庫存正逐漸消失。

PC業者無法從NAND大廠獲得模組改向消費品牌購買

根據段喜亭的說法，Silicon Motion賣給SSD模組廠的主控在完成後出貨後多半直接提供給PC OEM業者，因為它們現在無法從記憶體原廠獲得足夠的SSD，畢竟NAND業者現在都優先把NAND用於AI伺服器相關的資料中心級SSD並減少消費級SSD的供貨，PC業者只能尋求其它管道。

這也使得原本從SSD模組廠採購的消費品牌的商業模式變化，過往這些消費級SSD品牌主要鎖定零售市場，但現在由於PC業者無法取得充裕的消費級SSD，轉向與這些業者進行採購，也連帶使得Silicon Motion出貨的主控最後多用於PC整機的系統當中，並未如以往作為零售SSD出貨。

對於SSD主控業者仍是商機

筆者在Computex也曾與另一家SSD主控大廠群聯Phison的工作人員閒聊，Phison工作人員表示雖然大型AI系統業者仍傾向與NAND業者採購搭載自研主控的企業級SSD，但由於伺服器仍有多種形態，加上中小企業對於可離線執行AI應用的高性能工作站的需求增加，向這些SSD主控業者仍可因此受惠，主要只是最後SSD主控流向哪類型的應用的區別。

加上Silicon Motion高層的說法，實際上即便是非NAND廠的第三方SSD主控業者，即便消費市場需求看淡，但同樣可受惠整體SSD需求的上升提高出貨量，且即便系統、筆電因應NAND價格提高降低容量配置，一條SSD搭配一顆SSD主控的情況也不會因此改變，只是過往佔有一定零售SSD由於產業變化而陷入困局，但影響層面恐怕僅限零售通路及一般消費者。

現在的AI晶片對於記憶體的需求相當高，不過無論是SRAM或DRAM除了產能以外都有單位成本高昂的問題，尤其是高階AI晶片的HBM記憶體仍供不應求的情況下，現在科技產業也在尋求其它解緩HBM容量需求的做法，其中SanDisk繼與SK Hynix推出稱為HBF的新式高頻寬快閃記憶體後，註冊一項新式晶片封裝專利，希冀透過在AI晶片下方封裝NAND，與HBM記憶體各司其職增強AI晶片效能。

將NAND作為擴充AI晶片容量的手段

如前面所述，NAND相對DRAM雖然性能較慢，但有著更大容量的優勢，SanDisk的專利則透過CBA技術把NAND顆粒堆疊在AI晶片(包括AI加速器或GPU)下方，同時該晶片平台上仍有HBM記憶體，透過兩種晶片分工各司其職提升整體AI性能。

在這項計畫中，傳輸速度更快的HBM可作為存放需要力及處理的資料，而NAND則用於進行讀取及寫入操作還有處理更大的資料集，以3D封裝的DRAM能夠帶來相對採用外部晶片更快、更直接的傳輸，此外透過NAND作為運算晶片集HBM之間提供更大的緩衝，如此一來可降低成本及功耗。

從概念專利轉化為技術仍需時間證明

SanDisk的專利看似美好，不過畢竟仍處於專利階段，還未知SanDsik目前的技術進展，畢竟在高性能的AI晶片下方封裝NAND，意味著除了NAND的散熱以外，NAND也須承受上方高性能AI晶片的發熱，如何實現這樣的封裝、成本的控制等等也都是需要考量的，但SanDisk確實正在設法找尋AI世代的新方向。