蘋果在2026年推出的MacBook Neo打亂入門筆電的一池春水，蘋果原本用意是將品質未達標的iPhone手機晶片善加利用，結果因為價格與表現遠超同價位Windows PC與Chromebook而成為市場新寵；現在市場預期蘋果將會循此模式再度使用iPhone晶片打造下一代MacBook Neo，而且預期的規格有望使它成經濟實惠的裝置端Apple Intelligence載體。

預期MacBook Neo將升級12GB記憶體

由於MacBook Neo使用來自iPhone 16 Pro的A18 Pro晶片，故就連記憶體也仍停留在8GB，同時iPhone 16 Pro也同時是能否執行Apple Intelligence的分水嶺，因為後續的Pro機型已經升級到12GB；根據市場預期，第二代MacBook Neo將採用來自iPhone 17的A19 Pro處理器，同時記憶體也與iPhone 17 Pro系列看齊提升至12GB。

這也表示除了性能的提升以外，第二代MacBook Neo由於更充裕的記憶體，足以執行蘋果最新的20B參數的AFM 3 Core Advanced模型，也是2026年WWDC的重點升級，但現行MacBook Neo受限8GB記憶體，導致無法執行這樣的新穎裝置端AI模型。

第二代MacBook Neo猶如iPhone e系列

若從產品定位發想，現行第一代的MacBook Neo有點像iPhone SE系列，設法以最低成本提供iPhone應有的基本體驗，而謠傳的第二代MacBook Neo則類似於蘋果自iPhone 17系列重新定位的入門機種iPhone 17e，比起原本iPhone SE具備更完整的當代iPhone體驗，也包含支援Apple Intelligence，將進一步使蘋果產品更落實從入門到高階的AI體驗。

高通在AugmentedWorld Expo大會宣布推出全新旗艦級混合實境晶片Snapdragon Reality Elite，強調不僅為混合實境帶來更逼真的視覺體驗，同時結合高性能NPU，足以在混合實境裝置執行如大型語言模型、視覺模型等AI增強技術；Snapdragon Reality Elite除了將與Google Android XR生態系緊密結合以外，也宣布將攜手XREAL以新一代混合實境裝置Project Aura作為首發。

強調為混合實境從頭開始研發

高通強調Snapdragon Reality Elite是專為新一代VR、MR體驗開發的全新XR晶片，除了性能也著重在與生成式AI結合，不過雖然名稱有著Elite，但仍非高通Oryon CPU，而是做為強調是旗艦級產品的命名。

Snapdragon Reality Elite整合高達48 AI TOPS的NPU，足以在混合實境裝置執行3B參數的LLM大型語言模型及VLM視覺模型，透過將新一代裝置AI與混合實境裝置結合，帶來增強的感知與互動。同時Snapdragon Reality Elite增強頭部及手部追蹤能力，也支援透視功能，可因應多元的裝置設計需求。

高規格設計的頂級XR體驗

Snapdragon Reality Elite相較前一代高通旗艦混合實境處理器有大幅的提升，CPU性能提高30%，與視覺體驗息息相關的GPU則提升達30%，同時NPU性能大幅提升160%；此外可支援單眼4.4K解析度、90fps的視覺輸出；此外因應透視技術需求，透過包括整合EVA模組為機器視覺進行硬體加速。

受益於效能提升以及增強電源管理，在與前一代產品相同的效能表現下，能使續航力提高20%，同時降低達12度的溫度，意味著像是頭戴式裝置能夠採用更輕盈的設計以及更低的運作發熱。

與XR生態系緊密結合、XREAL及Play for Dream將首發

高通強調其XR晶片有著完善的生態系，同時也是Android XR的長期合作夥伴，Snapdragon Reality Elite將由XREAL以及Play for Dream兩家品牌採納，其中XREAL將用於新一代XREAL Project Aura產品

市場預期2026年底的頂級智慧手機將會有兩大新規格，其一是LPDDR6，另一個則是UFS 5.0；三星在2026年6月下旬宣布推出全新UFS 5.0儲存解決方案，實現高達10.8GB/s的傳輸速度，可在執行裝置端大型語言模型時降低延遲及提升回應時間，同時具備更小的封裝尺寸與更好的能源效率。

三星預計在2026年第四季量產UFS 5.0，最大容量為1TB；倘若以產品時程推算，可能秋季中國首波旗艦手機發表仍看不到UFS 5.0儲存的導入，要到後續的「Ultra」級產品才較有機會看到，但也可能用於首波「Pro」級產品的1TB規格，但需要待至第四季才會出貨。

比UFS 4.1快兩倍的整體性能

三星UFS 5.0是依循JEDEC最新嵌入式記憶體規格所開發，順序讀取達10.8GB/s，而順序寫入達9.5GB/s，相對UFS 4.1規格性能快兩倍，對於在裝置端執行大型語言模型一類的AI應用可明顯降低延遲與加快反應時間。

此外，三星UFS 5.0透過包括時脈管理、多電壓設定等新技術降低在同樣資料量所需的能耗，其能源效率相對UFS 4.1提升超過40%；此外UFS 5.0的封裝較UFS 4.1更為緊湊，僅7.5mm x 13mm x 0.9mm，對比UFS 4.1封裝縮減16.7%。